×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [25]
大连理工大学 [20]
高能物理研究所 [20]
复旦大学上海医学院 [20]
新疆理化技术研究所 [17]
北京航空航天大学 [16]
更多...
内容类型
期刊论文 [212]
专利 [42]
会议论文 [37]
成果 [2]
其他 [1]
无文献类型 [1]
更多...
发表日期
2022 [4]
2021 [6]
2020 [6]
2019 [19]
2018 [39]
2017 [27]
更多...
学科主题
Actuators ... [1]
Chemistry [1]
Fluid Flow... [1]
Materials ... [1]
Metallurgy... [1]
光学 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共296条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
ET White Paper: To Find the First Earth 2.0
预印本
2022
作者:
Ge, Jian
;
Zhang, Hui
;
Zang, Weicheng
;
Deng, Hongping
;
Mao, Shude
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2022/07/29
Measurement of the cosmic ray proton and helium spectrum with energy above 100TeV by the LHAASO experiment
会议论文
Virtual, Berlin, Germany, 2021-07-12
作者:
Lingling, Ma
;
Yudong, Wang
;
Liping, Wang
;
Liqiao, Yin
;
Zhiyong, You
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2023/01/23
1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214
作者:
Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]
;
Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2022/04/07
Total ionizing dose irradiation
UTBB FD-SOI
1
f noise
Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1]
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
电机轴承防护措施及Al2O3陶瓷绝缘涂层研究现状
期刊论文
表面技术, 2021, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 51-59
作者:
卜珍宇
;
赵晓琴
;
郭向东
;
杨明奇
;
薛芸
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2021/11/18
Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
Insight-HXMT observations of jet-like corona in a black hole X-ray binary MAXI J1820+070
期刊论文
Nature Communications, 2021, 卷号: 12, 页码: 1025
作者:
You, Bei
;
Tuo, Yuoli
;
Li, Chengzhe
;
Wang, Wei
;
Zhang, Shuang-Nan
收藏
  |  
浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2021/11/18
Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, YD (Li, Yudong)
;
Liu, BK (Liu, Bingkai)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Wei, Y (Wei, Ying)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2021/10/14
Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges
Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
;
He, CF (He, Chengfa) 1
;
Guo, Q (Guo, Qi) 1
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2021/12/06
Threshold voltage
TestingMOSFET circuits
Transistors
Standards
Logic gates
Fluctuations
Buried oxide (BOX)
silicon-on-insulator (SOI)
total ionizing dose (TID)
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace