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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)