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	Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050 作者: Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]; Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]; Li, YD (Li, Yudong) [1]; Guo, Q (Guo, Qi) [1] 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2022/06/21 SRAM cells Radiation effects Arrays Stability criteria Circuit stability Voltage measurement Logic gates Stability static random-access memory (SRAM) cell total ionizing dose (TID)
	Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者: He, Ze; Zhao, Shi-Wei; Liu, Tian-Qi; Cai, Chang; Yan, Xiao-Yu 收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE) Error detection and correction (EDAC) code Heavy ion Radiation hardening technology Single event upset (SEU) Static random-access memory (SRAM)
	Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者: Zheng, Qiwen; Cui, Jiangwei; Lu, Wu; Guo, Hongxia; Liu, Jie 收藏 \| 浏览/下载：74/0 \| 提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs) static random access memory total ionizing dose (TID)
	The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者: Zheng, Qiwen; Cui, Jiangwei; Lu, Wu; Guo, Hongxia; Liu, Jie 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2018/10/08 Charge sharing single-event upset (SEU) static random access memory total ionizing dose (TID)
	Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Yu, XF (Yu, Xuefeng); Lu, W (Lu, Wu); He, CF (He, Chengfa) 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm) Static Random Access Memory (Sram) Total Ionizing Dose (Tid)
	The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]; Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]; Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]; Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]; Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ] 收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2018/09/27 Charge Sharing Single-event Upset (Seu) Static Random Access Memory Total Ionizing Dose (Tid)
	Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 页码: 6 作者: Ye, Bing; Liu, Jie; Wang, Tie-Shan; Liu, Tian-Qi; Luo, Jie 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2018/05/31 single event upset energy straggle proton irradiation nanodevice
	Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Liu, MX (Liu, Mengxin); Su, DD (Su, Dandan); Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator Total Ionizing Dose Static Random Access Memory Static Noise Margin
	静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究学位论文博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2015/06/15 大规模集成电路总剂量辐射静态随机存储器损伤机制试验方法
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \| 浏览/下载：213/0 \| 提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅 KFZ加固单粒子翻转静态随机存储器 silcon-on-insulator(SOI) radiation hardness sigle event upset(SEU) static random access memory(SRAM)

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