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科研机构
新疆理化技术研究所 [4]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2021 [1]
2020 [2]
2018 [2]
学科主题
Physics, M... [1]
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Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 57, 期号: 9, 页码: 1015-1021
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/12/09
14-MeV neutron
neutron irradiation
radiation damage
radiation effect
Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 1-7
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/03/19
Backside illuminated CMOS image sensor
Random telegraph signal
Radiation effects
Proton irradiation
Theoretical calculation
High resolution electron bombareded complementary metal oxide semiconductor sensor for ultraviolet detection
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 1
作者:
Liu Hu-Lin
;
Wang Xing
;
Tian Jin-Shou
;
Sai Xiao-Feng
;
Wei Yong-Lin
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2018/12/11
Complementary Metal Oxide Semiconductor
Electron Bombareded Gain
Low Light Level Imaging
Uv Detection
Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 1-4
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
;
Feng, J (Feng, Jie)
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提交时间:2018/08/14
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