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新疆理化技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2021 [1]
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Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
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提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
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