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新疆理化技术研究所 [18]
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学位论文 [8]
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2020 [2]
2018 [1]
2016 [1]
2015 [5]
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A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 540-550
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2020/07/06
Charge coupled devices (CCDs)
proton irradiation
neutron irradiation
hot pixels
displacement damage effects
Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2020/12/11
SiC MOSFET
total ionizing dose irradiation
time-dependent dielectric breakdown
Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 1-4
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
;
Feng, J (Feng, Jie)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/08/14
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:193/0
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元
InGaAs量子阱光电材料的辐射效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
王海娇
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/06/15
InGaAs/InP 量子阱
电子辐照
质子辐照
γ 辐照
辐射损伤
光致发
Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
作者:
Wang, B (Wang Bo)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Liu, CJ (Liu Chang-Ju)
;
Wen, L (Wen Lin)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/01/26
Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor
Dark Signal
Proton Radiation
Displacement Effect
Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
作者:
Ma, LY (Ma Li-Ya)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Ai, EK (Ai Er-Ken)
;
Wang, HJ (Wang Hai-Jiao)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/01/25
In0.53ga0.47as/inp
Quantum Well
Electron Beam Irradiation
Photoluminescence
Room-Temperature Annealing of 1 MeV Electron Irradiated Lattice Matched In0.53Ga0.47As/InP Multiple Quantum Wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Wang, HJ (Wang Hai-Jiao)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Ma, LY (Ma Li-Ya)
;
Wen, L (Wen Lin)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/09/14
电压比较器电离辐射效应及加速评估方法的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
马武英
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2014/09/02
电离辐射
电压比较器
低剂量率辐射损伤增强效应
加速评估方法
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