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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
;
方仁凤1
;
魏彦锋1
;
陈传亮1
;
曹文彧1
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提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
氧化石墨烯复合材料制备及对核素锶萃取研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2021
作者:
秦武军
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提交时间:2023/10/10
固相萃取
氧化石墨烯
冠醚
海藻酸钠
锶离子
氧化石墨烯复合材料制备及对核素锶萃取研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2021
作者:
秦武军
收藏
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提交时间:2023/10/10
固相萃取
氧化石墨烯
冠醚
海藻酸钠
锶离子
一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法
专利
申请日期: 2021-06-11,
作者:
冯婕
;
王海川
;
李豫东
;
文林
;
周东
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/12/02
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法
专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
李小龙
;
魏莹
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/02
一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
李小龙
;
魏莹
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/12/02
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:
相传峰1,2
;
李小龙1
;
陆妩1,2
;
王信1
;
刘默寒1
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/01/25
温度效应
总剂量效应
界面陷阱电荷
GLPNP双极晶体管
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