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Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2020/12/11
SiC MOSFET
total ionizing dose irradiation
time-dependent dielectric breakdown
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:
马腾
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/07/06
金属氧化物半导体
辐射效应
可靠性
辐射诱导泄漏电流
介质经时击穿
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:
马腾
;
苏丹丹
;
周航
;
郑齐文
;
崔江维
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/10/18
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
Γ射线
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2018/03/14
Reliability
Proton Irradiation
Radiation Induced Leakage Current (Rilc)
Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)
Total Ionizing Does (Tid)
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
苏丹丹
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/09/26
Mosfet
Tddb
辐射效应
可靠性
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:
苏丹丹
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/09/26
Mosfet
Tddb
辐射效应
可靠性
An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 181-184
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
;
Su, DD (Su, Dan-Dan)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/12/14
Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation
期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者:
Xu H(徐昊)
;
Yang H(杨红)
;
Wang YR(王艳蓉)
;
Luo WC(罗维春)
;
Qi LW(祁路伟)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/05/09
Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations
期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者:
Xu H(徐昊)
;
Yang H(杨红)
;
Luo WC(罗维春)
;
Wang YR(王艳蓉)
;
Tang B(唐波)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/05/09
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2016/09/27
MOSFET
辐射效应
NBTI
可靠性
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