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空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:  马腾
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/06
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/10/18
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:  Ma, T (Ma, Teng);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/03/14
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26
An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 181-184
作者:  Ma, T (Ma, Teng);  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dan-Dan)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/12/14
Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation 期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者:  Xu H(徐昊);  Yang H(杨红);  Wang YR(王艳蓉);  Luo WC(罗维春);  Qi LW(祁路伟)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09
Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations 期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者:  Xu H(徐昊);  Yang H(杨红);  Luo WC(罗维春);  Wang YR(王艳蓉);  Tang B(唐波)
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/09
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/09/27
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/27

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