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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 CIS单粒子效应机理及模拟试验方法 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  蔡毓龙 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/08/27 CMOS图像传感器  单粒子效应  空间辐射效应  Geant4   8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量   γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/09 图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应   4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析 期刊论文 光学学报, 2018, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 22-27 作者:  徐守龙;  邹树梁;  黄有骏;  匡雅;  郭赞 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/27 探测器  互补金属氧化物半导体有源像素传感器  光子辐射响应  钳位光电二极管   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/09/27 Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2 作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发;  郭旗;  何承发;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2016/03/01 互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量