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Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 750, 页码: 182-188
作者:
Yu, Kai
;
Yang, Fan
;
Cong, Hui
;
Zhou, Lin
;
Liu, Qingyun
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
GeOI
High crystal quality
Back-gate pMOSFET
Field-effect hole
mobility
Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET
期刊论文
IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017
作者:
Wang SK(王盛凯)
;
Han K(韩楷)
;
Wang WW(王文武)
;
Ye TC(叶甜春)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/09
Experimental Investigation of Ballistic Carrier Transport for Sub-100-nm Ge n-MOSFETs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Cheng, Ran
;
Yin, Longxiang
;
Wu, Heng
;
Yu, Xiao
;
Zhang, Yanyan
;
Zheng, Zejie
;
Wu, Wangran
;
Chen, Bing
;
Ye, Peide D.
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhao, Yi
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Germanium MOSFETs
ballistic transport
pulsed IV
GeOI
self-heating effect
P-CHANNEL
A 2-D analytical threshold-voltage model for GeOI/GeON MOSFET with high-k gate dielectric
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016, 卷号: 57, 页码: 24-33
作者:
Ji, Feng
;
Xu, J.P.
;
Liu, L.
;
Tang, W.M.
;
Lai, P.T.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/27
GeOl/GeON MOSFETs
Threshold voltage
Ultra-thin-body
High-k gate dielectric
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Formation and properties of GeOI prepared by cyclic thermal oxidation and annealing processes
期刊论文
2011
Hu Mei-Jiao
;
Li Cheng
;
Xu Jian-Fang
;
Lai Hong-Kai
;
Chen Song-Yan
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
SIGE-ON-INSULATOR
STRAINED SI
GERMANIUM
FABRICATION
ULTRATHIN
MOSFETS
SI0.5GE0.5
FRACTION
LAYER
Formation and properties of GeOI prepared by cyclic thermal oxidation and annealing processes
期刊论文
2011
Hu Mei-Jiao
;
Li Cheng
;
Xu Jian-Fang
;
Lai Hong-Kai
;
Chen Song-Yan
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
SIGE-ON-INSULATOR
STRAINED SI
GERMANIUM
FABRICATION
ULTRATHIN
MOSFETS
SI0.5GE0.5
FRACTION
LAYER
循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究
期刊论文
2011
胡美娇
;
李成
;
徐剑芳
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/05/17
GeOI
氧化
退火
光致发光谱
GeOI
thermal oxidation
thermal annealing
photoluminescence
低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
马小波
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/03/06
低温等离子体键合
绝缘体上的硅(SOI)
绝缘体上锗硅(SGOI)
绝 缘体上的锗(GeOI)
应变硅(strained Si)
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