| 题名 | 低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 |
| 作者 | 马小波 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 刘卫丽 |
| 关键词 | 低温等离子体键合 绝缘体上的硅（SOI） 绝缘体上锗硅（SGOI） 绝 缘体上的锗（GeOI） 应变硅（strained Si） |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 在摩尔定律的指引下，芯片特征尺寸目前已经进入22 nm 量级，现有体硅材 料和传统工艺都正接近它们的物理极限。利用晶圆低温键合集成技术，可以制备 得到多种硅基半导体薄膜，包括绝缘层上的硅，锗、锗硅、应变硅等高速材料， 并有望在三维器件结构中得到应用，其独特的优势，能突破体硅材料与硅集成电 路限制。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82692]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马小波. 低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
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