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科研机构
新疆理化技术研究所 [4]
高能物理研究所 [1]
兰州化学物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2021 [6]
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发表日期:2021
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电机轴承防护措施及Al2O3陶瓷绝缘涂层研究现状
期刊论文
表面技术, 2021, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 51-59
作者:
卜珍宇
;
赵晓琴
;
郭向东
;
杨明奇
;
薛芸
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/11/18
Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
Insight-HXMT observations of jet-like corona in a black hole X-ray binary MAXI J1820+070
期刊论文
Nature Communications, 2021, 卷号: 12, 页码: 1025
作者:
You, Bei
;
Tuo, Yuoli
;
Li, Chengzhe
;
Wang, Wei
;
Zhang, Shuang-Nan
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2021/11/18
Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, YD (Li, Yudong)
;
Liu, BK (Liu, Bingkai)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Wei, Y (Wei, Ying)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/10/14
Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges
Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
;
He, CF (He, Chengfa) 1
;
Guo, Q (Guo, Qi) 1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/12/06
Threshold voltage
TestingMOSFET circuits
Transistors
Standards
Logic gates
Fluctuations
Buried oxide (BOX)
silicon-on-insulator (SOI)
total ionizing dose (TID)
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