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TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2
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Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
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Impact of electrical stress on total ionizing dose effects on graphene nano-disc non-volatile memory devices 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 1-5
作者:  Xi, K (Xi, K.)[ 1 ];  Bi, JS (Bi, J. S.)[ 1,2 ];  Xu, YN (Xu, Y. N.)[ 1 ];  Li, YD (Li, Y. D.)[ 3 ];  Zhang, ZG (Zhang, Z. G.)[ 4 ]
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/01/05
Research on attitude measurement precision of star sensor influenced by space radiation damage 会议论文
Beijing, PEOPLES R CHINA, DEC 03-05, 2019
作者:  Feng, J (Feng Jie);  Li, YD (Li Yudong);  Guo, Q (Guo Qi)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/08/25
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/10
The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:  Xu, YN (Xu, Yannan)[ 1,2 ];  Bi, JS (Bi, Jinshun)[ 1,2 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ];  Xi, K (Xi, Kai)[ 1 ];  Fan, LJ (Fan, Linjie)[ 4 ]
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/19
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/20
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  汪波
收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  武大猷
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/09/27
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
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