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Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, P (Li, Pei)[ 1 ]
;
He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ]
;
Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ]
;
Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/01/10
SiGe HBTs
Oxide isolation
ELDRS
EHPs generation
Holes trapping
Protons transportation
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Guo, HX (Guo, Hong-xia)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CH (He, Chao-hui)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/20
Eldrs
Sige Hbt
Gamma Irradiation
Bias Conditions
Total Ionizing Dose Effects of SiGe HBTs Induced by Co-60 Gamma-Ray Irradiation
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND ENGINEERING, 2018, 卷号: 191, 页码: 98-103
作者:
Liu, Shu-Huan
;
Hussain, Aqil
;
Li, Da
;
Guo, Xiaoqiang
;
Li, Zhuo-Qi
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/19
SiGe HBTs
Co-60 gamma radiation
radiation effects
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111
作者:
Zhang, Jin-xin
;
Guo, Qi
;
Guo, Hong-xia
;
Lu, Wu
;
He, Chao-hui
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Gamma irradiation
ELDRS
SiGe HBT
Bias conditions
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 1137-1141
作者:
Li, P (Li, Pei)
;
He, CH (He, Chaohui)
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Zhang, JX (Zhang, Jinxin)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2017/06/20
Different silicon-germanium (SiGe) process
emitter-base (EB)-spacer geometry
enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)
isolation structure
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 8
作者:
Li, P (Li, Pei)
;
Liu, MH (Liu, Mo-Han)
;
He, CH (He, Chao-Hui)
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)
;
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/12/11
Different Silicon-germanium Process
Ionizing Radiation Damage
Numerical Simulation
Comparison of total dose effects on SiGe heterojunction bipolar transistors induced by different swift heavy ion irradiation
期刊论文
2016, 2016
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Li Gao-Qing
;
Liu Zhi-Hong
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浏览/下载:4/0
SiGe HBT~(60) Co γ辐照总剂量效应
期刊论文
2016, 2016
刘书焕
;
李达
;
郭晓强
;
林东升
;
张伟
;
刘新赞
;
Liu Shuhuan
;
Li Da
;
Guo Xiaoqiang
;
Lin Dongsheng
;
Zhang Wei
;
Liu Xinzan
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浏览/下载:4/0
Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3
作者:
Liu, MH (Liu, Mo-Han)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
Ma, WY (Ma, Wu-Ying)
;
Wang, X (Wang, Xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/12/12
SiGe HBTs
TID
ELDRS
annealing
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