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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/05 Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2016 作者:  Duan NY(段宁远);  Wang GL(王桂磊);  Liu JB(刘金彪);  Eddy simoen;  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/09 On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Eddy Simoen;  Wang GL(王桂磊);  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09 The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity 期刊论文 Carbon, 2015 作者:  Chen ZY(陈志颖);  Zhang YH(张艳慧);  Ye TC(叶甜春);  Liu XY(刘新宇);  Wang XY(王选芸) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/05/26