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Optical semiconductor element and method of manufacturing the same 专利
专利号: US9698570, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  TAKABAYASHI, KAZUMASA;  YAMAMOTO, TSUYOSHI;  KIMURA, TOKUHARU
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Optical semiconductor device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier 专利
专利号: US9601905, 申请日期: 2017-03-21, 公开日期: 2017-03-21
作者:  YOSHIDA, JUNJI;  ITOH, HIROKAZU;  IRINO, SATOSHI;  IRIE, YUICHIRO;  SAWAMURA, TAKETSUGU
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Quantum cascade laser element 专利
专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
作者:  HIRAYAMA, HIDEKI;  LIN, TSUNG-TSE
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Elastic anisotropic metal base thermal barrier coating thickness ultrasonic measuring method, involves calculating coating thickness correction coefficient of elastic anisotropic metal base thermal barrier layer. 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-09-10
作者:  LIN L LEI M LI G MA Z LUO Z ZHAO C
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Light emitting system and method of fabricating and using the same 专利
专利号: US8367450, 申请日期: 2013-02-05, 公开日期: 2013-02-05
作者:  BAHIR, GAD;  FEKETE, DAN;  ALBO, ASAF
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US7609739, 申请日期: 2009-10-27, 公开日期: 2009-10-27
作者:  TANAKA, AKIRA
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Type II mid-infrared quantum well laser 专利
专利号: US7280576, 申请日期: 2007-10-09, 公开日期: 2007-10-09
作者:  CALCOTT, PHILIP DOUGLAS JOHN
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Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US20070086496A1, 申请日期: 2007-04-19, 公开日期: 2007-04-19
作者:  TANAKA, AKIRA;  HONGO, CHIE;  HARADA, YOSHIYUKI;  SUGAWARA, HIDETO;  ONOMURA, MASAAKI
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Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer 专利
专利号: US7123637, 申请日期: 2006-10-17, 公开日期: 2006-10-17
作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  BOUR, DAVID P.;  ROMANO, LINDA T.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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Vertical cavity surface emitting laser including indium, antimony and nitrogen in the active region 专利
专利号: US7095770, 申请日期: 2006-08-22, 公开日期: 2006-08-22
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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