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Structure, first-principles calculations and yellow spectral properties of Dy3+: CaLaGa3O7 single crystal
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 卷号: 236, 页码: 6
作者:
Liu, Yunyun
;
Pan, Fei
;
Tu, Chaoyang
;
Gao, Ju
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2021/10/20
Dy3+:CaLaGa3O7
XRD Rietveld refinement
First-principles calculations
Spectroscopic characteristics
Yellow emission
Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13
作者:
Wang, Xinhua
;
Zhang, Yange
;
Huang, Sen
;
Yin, Haibo
;
Fan, Jie
收藏
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2021/04/26
GaN
first-principles
formation mechanism of crystallized Si2N2O
interface editing
LPCVD-SiNx
near-conduction band states
Magnetic and structural properties of Fe-implanted GaN at room temperature
期刊论文
VACUUM, 2021, 卷号: 184, 页码: 9
作者:
Li, Bingsheng
;
Peng, Dingping
;
Li, Junhan
;
Kang, Long
;
Zhang, Tongmin
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/12/10
GaN-Based diluted magnetic semiconductor
Fe implantation
Ferromagnetism
Raman spectroscopy
Positron annihilation spectroscopy
Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector
期刊论文
Carbon, 2021, 卷号: 175, 页码: 155-163
作者:
Y. Chen
;
K. Jiang
;
H. Zang
;
J. Ben
;
S. Zhang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. Yang
;
Z. Wu
;
F. Liao
;
X. Guo
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2022/06/13
The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 期号: 135, 页码: 105903
作者:
Peng, Liyuan
;
Liu, Shuangtao
;
Yang, Jing
;
Zhao, Degang
;
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Liu, Zongshun
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/24
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
收藏
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提交时间:2023/06/14
Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:
Song, Jie
;
Choi, Joowon
;
Han, Jung
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2020/03/12
Gallium nitride
Dislocations
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattice
Light emitting diodes
Simultaneous detection of trace Ag(I) and Cu(II) ions using homoepitaxially grown GaN micropillar electrode
期刊论文
ANALYTICA CHIMICA ACTA, 2020, 卷号: 1100, 页码: 22-30
作者:
Liu, Qingyun
;
Li, Jing
;
Yang, Wenjin
;
Zhang, Xinglai
;
Zhang, Cai
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/02/02
GaN micropillar arrays
Homoepitaxial growth
Electrochemistry
Metal ion detection
Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process
期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399
作者:
Zhang, Cai
;
Liu, Xiaoyuan
;
Li, Jing
;
Zhang, Xinglai
;
Yang, Wenjing
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/02/03
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