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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Magnetic and structural properties of Fe-implanted GaN at room temperature 期刊论文 VACUUM, 2021, 卷号: 184, 页码: 9 作者:  Li, Bingsheng;  Peng, Dingping;  Li, Junhan;  Kang, Long;  Zhang, Tongmin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/12/10 GaN-Based diluted magnetic semiconductor  Fe implantation  Ferromagnetism  Raman spectroscopy  Positron annihilation spectroscopy   Ferromagnetic properties, electronic structure, and formation energy of Ga0.9375M0.0625N (M=vacancy, Ca) by first principles study 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 6 作者:  Fan, S. W.;  Yao, K. L.;  Liu, Z. L.;  Gao, G. Y.;  Min, Y. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 Ferromagnetic properties, electronic structure, and formation energy of Ga(0.9375)M(0.0625)N (M=vacancy, Ca) by first principles study 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4 S. W. Fan; K. L. Yao; Z. L. Liu; G. Y. Gao; Y. Min; H. G. Cheng 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/13 generalized gradient approximation  doped zno  gan  semiconductors  calcium  systems  origin   氧化物基稀磁半导体材料的理论设计与实验制备 学位论文 博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2008 作者:  裴广庆 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2016/11/28 第一性原理计算  稀磁半导体  ZnO  β-Ga2O3