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Smart Design of Resistive Switching Memory by an In Situ Current-Induced Oxidization Process on a Single Crystalline Metallic Nanowire
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: -
作者:
Shih, Yu-Chuan
;
Lee, Ling
;
Liang, Kai-De
;
Manikandan, Arumugam
;
Liu, Wen-Wu
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2021/03/12
Copper
Copper oxides
Nanocrystalline materials
Nanowires
Oxide minerals
RRAM
Single crystals
Fabrication process
High current densities
Random access memory
Resistive switching
Resistive switching memory
Switching behaviors
Switching mechanism
Switching properties
Effects of high energy heavy ion irradiation on resistive switches
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 卷号: 231, 页码: 6
作者:
Guo, Xiangyu
;
Liu, Jiande
;
Wang, Qi
;
He, Deyan
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2021/12/15
Resistive switching
High energy heavy ion
Concentrated defects
Switching behavior
一种加速区块链MCMC随机选择的ReRAM及其工作方法
专利
申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
作者:
贾智平
;
王倩
;
王天雨
;
刘珂
;
申兆岩
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/01/04
Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD
期刊论文
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2019, 卷号: 66, 页码: 226-238
作者:
Zhao, Xiaoqing
;
Sun, Hongbin
;
Liu, Longjun
;
Yang, Yang
;
Dai, Liangliang
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Address mappings
Efficiency improvement
Efficient architecture
Non-volatile memory
Prototypes
Quantitative evaluation
Random bit errors
Solid state drives
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD
期刊论文
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238
作者:
Xiaoqing Zhao
;
Liangliang Dai
;
Nanning Zheng
;
Xiulong Wu
;
Yang Yang
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Reliability
Nonvolatile
memory
Prototypes
Bit
error
rate
Computer
architecture
Transistors
Sun
ReRAM
solid
state
drive
reliability
endurance
bit
error
rate
Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238
作者:
Zheng, Nanning
;
Liu, Longjun
;
Yang, Yang
;
Wu, Xiulong
;
Zhao, Xiaoqing
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/04/24
ReRAM
solid
state
drive
reliability
endurance
bit
error
rate
Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD
期刊论文
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238
作者:
Zhao, Xiaoqing
;
Sun, Hongbin
;
Liu, Longjun
;
Yang, Yang
;
Dai, Liangliang
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Address mappings
Efficiency improvement
Efficient architecture
Non-volatile memory
Prototypes
Quantitative evaluation
Random bit errors
Solid state drives
A ReRAM-Based Row-Column-Oriented Memory Architecture for Convolutional Neural Networks
期刊论文
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 2019, 卷号: E102C No.7, 页码: 580-584
作者:
Chen, Y
;
Zhang, J
;
Xu, YB
;
Zhang, YJ
;
Zhang, RY
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/17
data locality
ReRAM
convolutional neural networks
row-column-oriented access
ReRAM-based processing-in-memory architecture for blockchain platforms
期刊论文
Proceedings of the Asia and South Pacific Design Automation Conference, ASP-DAC, 2019, 页码: 615-620
作者:
Wang, Fang
;
Shen, Zhaoyan
;
Han, Lei
;
Shao, Zili
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
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