QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A NAND-SPIN-Based Magnetic ADC 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 617-621 作者:  Wu, Bi;  Wang, Zhaohao;  Li, Yuxuan;  Wang, Ying;  Liu, Dijun 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/12/01 Switches  Resistance  Reliability  Magnetic tunneling  Tunneling magnetoresistance  Sensors  Magnetic devices  Magnetic ADC  NAND-SPIN  multiple switching thresholds   Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文 AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17 作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar 收藏  |  浏览/下载：265/0  |  提交时间：2021/05/31 Autophagosome  cancer  flux  LC3  lysosome  macroautophagy  neurodegeneration  phagophore  stress  vacuole   Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669 作者:  Wu, Bi;  Wang, Chao;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying;  Zhang, Deming 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/12/01 Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Reliability  Tunneling magnetoresistance  Metals  Transistors  SOT-MRAM  low power  high speed  high reliability   The Impact of Ferroelectric FETs on Digital and Analog Circuits and Architectures 期刊论文 IEEE DESIGN & TEST, 2020, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 79-99 作者:  Chen, Xiaoming;  Sun, Xiaoyu;  Wang, Panni;  Datta, Suman;  Hu, Xiaobo Sharon 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/12/10 Iron  Transistors  Computer architecture  Switches  Capacitance  Logic gates  Computational modeling  Ferroelectric Field Effect Transistor  FeFET  Negative Capacitance Field Effect Transistor  NCFET  Preisach model  FPGAs  content addressable memories  CAM  TCAM  compute-in-memory  analog synapse   Bulkyflip: A NAND-SPIN-Based Last-Level Cache With Bandwidth-Oriented Write Management Policy 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 108-120 作者:  Wu, Bi;  Dai, Pengcheng;  Wang, Zhaohao;  Wang, Chao;  Wang, Ying 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/12/10 NAND-SPIN  spin orbit torque (SOT) MRAM  last level cache  write throughput  high performance   Power and Area Efficient FPGA Building Blocks Based on Ferroelectric FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 1780-1793 作者:  Chen, Xiaoming;  Ni, Kai;  Niemier, Michael T.;  Han, Yinhe;  Datta, Suman 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/08/16 Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)  field-programmable gate array (FPGA)  lookup table (LUT)  routing switch   moDNN: Memory Optimal Deep Neural Network Training on Graphics Processing Units 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON PARALLEL AND DISTRIBUTED SYSTEMS, 2019, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 646-661 作者:  Hu, Xiaobo Sharon;  Han, Yinhe;  Chen, Danny Ziyi;  Chen, Xiaoming 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/04/03 Deep neural networks  graphics processing units  memory usage   Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172 作者:  Chen, Xiaoming;  Niemier, Michael;  Hu, Xiaobo Sharon;  Yin, Xunzhao 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/04/03 Ferroelectric FET (FeFET)  logic-in-memory (LiM)  nonvolatile (NV) memory