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基于FPGA的多目标数字图像模拟器
期刊论文
仪表技术与传感器, 2022, 期号: 06, 页码: 95-98+104
作者:
张维达
;
张甫恺
;
邹悦
;
张秒
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提交时间:2023/05/18
基于万兆以太网的Cameralink数字图像光纤传输系统
期刊论文
仪表技术与传感器, 2022, 期号: 06, 页码: 80-82+87
作者:
王岩
;
张甫恺
;
张维达
;
邹悦
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提交时间:2023/05/18
Testing Bergmann's rule in marine copepods
期刊论文
ECOGRAPHY, 2021, 页码: 13
作者:
Campbell, Max D.
;
Schoeman, David S.
;
Venables, William
;
Abu-Alhaija, Rana
;
Batten, Sonia D.
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2021/09/18
allometry
chlorophyll
continuous plankton recorder
ectotherms
environmental drivers
invertebrate
macroecology
statistical modelling
temperature-size rule
zooplankton
A new strategy of tailoring strength and ductility of CoCrFeNi based high-entropy alloy
期刊论文
Materials Science and Engineering A, 2020, 卷号: 774
作者:
Zheng, Fukai
;
Zhang, Guannan
;
Chen, Xiujuan
;
Yang, Xiao
;
Yang, Zengchao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/11/14
Aluminum
Aluminum metallography
Binary alloys
Chromium alloys
Chromium metallography
Cobalt alloys
Cobalt metallography
Ductility
Entropy
Fracture toughness
High strength alloys
High-entropy alloys
Iron alloys
Iron metallography
Mechanical properties
Nickel compounds
Precipitation (chemical)
Tensile strength
Tensile testing
Yield stress
Comprehensive strength
Precipitation strengthening
Stoichiometric ratio
Strength and ductilities
Strength and elongations
Strengthening mechanisms
Tension tests
Theoretical calculations
10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/27
An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Yu, Guo-Hao(于国浩)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Bao-Shun(张宝顺)
;
Wang, Yi-Qun(王逸群)
;
Fu, Kai(付凯)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/03/27
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Fan, Yaming(范亚明)
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhao, Jie
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/03/27
Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:
Fu, Houqiang
;
Yang, Tsung-Han
;
Xu, Ke(徐科)
;
Ponce, Fernando A.
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/03/27
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