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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 5, 页码: 575-580 作者:  赵真典;  陈路;  傅祥良;  王伟强;  沈川 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/11/20 红外焦平面  碲镉汞  砷掺杂  分子束外延   替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 2, 页码: 186-190 作者:  赵真典;  陈路;  傅祥良;  王伟强;  沈川 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/11/20 碲镉汞  红外焦平面  长波  替代衬底  暗电流   分子束外延HgCdTe位错及表面缺陷抑制方法 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  傅祥良 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  替代衬底  位错  表面缺陷  器件性能   碲镉汞As掺杂技术研究 期刊论文 激光与红外, 2006, 卷号: 36, 期号: 11 作者:  巫 艳;  吴 俊;  魏青竹;  陈 路;  于梅芳 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/10/21 Si基大面积碲镉汞分子束外延研究 期刊论文 激光与红外, 2006, 卷号: 36, 期号: 11 作者:  陈 路;  傅祥良;  巫 艳;  吴 俊;  王伟强 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/10/21 在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 期刊论文 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24 作者:  傅祥良 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/11/14 分子束外延  Si衬底  Ge衬底  Cdte  Hgcdte  晶向  晶格失配