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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
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| 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 余之峰
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2021/11/30 |
| 稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 雷琪琪
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 苏大鸿
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/09/22 |
| 博士学位论文-类石墨烯材料的分子束外延生长和电子结构的研究 学位论文
: 中国科学院高能物理研究所, 2020
作者: 李金梅
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2021/03/02 |
| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁
收藏 | 浏览/下载：70/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 全光固态分幅相机中响应材料铝稼砷光致折变效应的研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者: 钟梓源
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/09/03
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| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 锑化物异质结构的分子束外延与器件研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 于天
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/11/19 |
| 新型二维过渡金属薄膜材料的制备与研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019
作者: 孙浩亮
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2019/12/24
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