在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe

	在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
	傅祥良
刊名	红外
	2005-09-10
卷号	26 期号:9 页码:29-24
关键词	分子束外延 Si衬底 Ge衬底 Cdte Hgcdte 晶向晶格失配
英文摘要	在当前大规模红外焦平面器件的研制中，高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料。衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖，严重影响红外焦平面器件的工作性能。本文对各种衬底进行了比较，并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价。
公开日期	2011-11-14
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/3112]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	傅祥良. 在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe[J]. 红外,2005,26(9):29-24.
APA	傅祥良.(2005).在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe.红外,26(9),29-24.
MLA	傅祥良."在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe".红外 26.9(2005):29-24.