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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2002 [2]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings
期刊论文
journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57
Ding F
;
Li B
;
Akopian N
;
Perinetti U
;
Chen YH
;
Peeters FM
;
Rastelli A
;
Zwiller V
;
Schmidt OG
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浏览/下载:71/5
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提交时间:2011/07/05
Quantum Ring
Quantum Dot
Neutral Exciton
Aharonov Bohm Effect
Gate Controlled
Selective Etching
ENERGY-SPECTRA
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature
期刊论文
microelectronic engineering, 2010, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 1834-1837
Peng YS (Peng Y. S.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Niu JB (Niu J. B.)
;
Jia R (Jia R.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:106/27
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提交时间:2010/08/17
Photonic crystal nanocavities
Quantum dots
Cavity resonant mode
Room temperature
Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
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浏览/下载:58/4
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提交时间:2010/03/08
InGaN/GaN multiple quantum wells
light-emitting diode
wet etching
inductively coupled plasma etching
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:219/41
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提交时间:2010/03/17
DIFFUSION LENGTH
Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
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