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Nitride semiconductor laser device 专利
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:  RYOWA, TATSUYA;  ISHIDA, MASAYA;  MORISHITA, YUKIKO;  KAMIKAWA, TAKESHI;  MOTOKI, KENSAKU
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Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US7038243, 申请日期: 2006-05-02, 公开日期: 2006-05-02
作者:  KAMAKURA, TAKANOBU
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Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate 专利
专利号: US6177292, 申请日期: 2001-01-23, 公开日期: 2001-01-23
作者:  HONG, CHANG-HEE;  KIM, SUN TAE
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2642404B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:  粒来 保彦;  国分 義弘
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Visible light semiconductor laser 专利
专利号: JP1992213886A, 申请日期: 1992-08-04, 公开日期: 1992-08-04
作者:  SUGANO HIKARI
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Window structure semiconductor laser and manufacture method 专利
专利号: JP1992061391A, 申请日期: 1992-02-27, 公开日期: 1992-02-27
作者:  KOMAZAKI IWAO
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991152983A, 申请日期: 1991-06-28, 公开日期: 1991-06-28
作者:  HINO ISAO
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GaAs/AlGaAs heterostructure laser containing indium 专利
专利号: US4984242, 申请日期: 1991-01-08, 公开日期: 1991-01-08
作者:  SCIFRES, DONALD R.;  WELCH, DAVID F.;  ENDRIZ, JOHN;  STREIFER, WILLIAM
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Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1987098689A, 申请日期: 1987-05-08, 公开日期: 1987-05-08
作者:  HOSODA MASAHIRO;  HAYASHI HIROSHI;  YAMAMOTO SABURO;  YANO MORICHIKA
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- 专利
专利号: JP1986033275B2, 申请日期: 1986-08-01, 公开日期: 1986-08-01
作者:  HASEGAWA OSAMU;  KANEKO TOSHIAKI
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