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科研机构
半导体研究所 [8]
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2004 [2]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1996 [1]
1994 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou XL
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浏览/下载:440/157
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提交时间:2010/03/09
etch-pit density
High-performance quantum-dot superluminescent diodes
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:68/29
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提交时间:2010/03/09
crystal growth
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
Tentative analysis of Swirl defects in silicon crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 276-282
Fan TW
;
Qian JJ
;
Wu J
;
Lin LY
;
Yuan J
收藏
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/08/12
swirl defect
silicon
electron energy loss spectroscopy
Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 382-385
Wei YD
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/17
VELOCITIES
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
LPE
FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
LIQUID-PHASE EPITAXY
100 GAAS
TRANSIENT SPECTROSCOPY
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
SILICON
VACANCY
DEFECTS
TRAPS
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