DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP

	DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
	ZHU QS ; HIRAMATSU K ; SAWAKI N ; AKASAKI I ; LIU XN
刊名	journal of applied physics
	1994
卷号	76 期号:11 页码:7410-7414
关键词	SEMICONDUCTORS DEFECTS VACANCY SILICON LEVEL LPE
ISSN号	0021-8979
通讯作者	zhu qs acad sinicainst semicondpob 912beijing 100083peoples r china
学科主题	半导体材料
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13945]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,et al. DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP[J]. journal of applied physics,1994,76(11):7410-7414.
APA	ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,AKASAKI I,&LIU XN.(1994).DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP.journal of applied physics,76(11),7410-7414.
MLA	ZHU QS,et al."DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP".journal of applied physics 76.11(1994):7410-7414.