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新疆理化技术研究所 [25]
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期刊论文 [18]
学位论文 [7]
发表日期
2022 [1]
2018 [1]
2016 [3]
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Bias dependence of total ionizing dose effects in 22 nm bulk nFinFETs
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 177, 期号: 3-4, 页码: 372-382
作者:
Cui, X (Cui, Xu) [1] , [2] , [3]
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen) [1] , [2] , [3]
;
Wei, Y (Wei, Ying) [1] , [2] , [3]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2] , [3]
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/06/21
FinFET
1/f noise
TlD
CVS
bias dependence
Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2018, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1-5
作者:
Zhang, XY (Zhang, Xing-Yao)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhang, XY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/08/07
Magnetoresistive Random-access Memory Total Ionizing Dose
Synergistic Effect
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:193/0
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
武大猷
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/09/27
电荷耦合器件
60Co-γ辐照
电子辐照
辐射损伤
低剂量率损伤增强效应
Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3
作者:
Liu, MH (Liu, Mo-Han)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
Ma, WY (Ma, Wu-Ying)
;
Wang, X (Wang, Xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/12/12
SiGe HBTs
TID
ELDRS
annealing
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元
Research on dark signal degradation in Co-60 gamma-ray-irradiated CMOS active pixel sensor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 5
作者:
Wang Bo
;
Li Yu-Dong
;
Guo Qi
;
Liu Chang-Ju
;
Wen Lin
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/11/11
CMOS APS
dark signal
Co-60 gamma-rays
damage mechanism
60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究
期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 313-319
作者:
汪波
;
李豫东
;
郭旗
;
刘昌举
;
文林
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/11/11
CMOS有源像素传感器
暗信号
60 Co-γ射线
损伤机理
CMOS APS
dark signal
60 Coγ-rays
damage mechanism
混合工艺数模转换器总剂量效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
王信
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/06/05
数模转换器
总剂量效应
BiCMOS CBCMOS LC2MOS 偏置
剂量率效应
高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
张孝富
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/06/05
AlGaN 光电材料
p-i-n 光电二极管
肖特基光电二极管
60Coγ射线辐照
电子辐照
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