×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
近代物理研究所 [7]
国家空间科学中心 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
湖南大学 [1]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2021 [2]
2019 [1]
2017 [3]
2014 [2]
2013 [1]
2012 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
收藏
  |  
浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 404, 页码: 250-253
作者:
Du, Guanghua
;
Bi, Jinshun
;
Ma, Shuyi
;
Liu, Xiaojun
;
Sheng, Lina
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2018/05/31
Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility
会议论文
作者:
Guo, Jinlong
;
Ma, Shuyi
;
Liu, Xiaojun
;
Sheng, Lina
;
Li, Yaning
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility
会议论文
作者:
Sheng, Lina
;
Guo, Jinlong
;
Du, Guanghua
;
Bi, Jinshun
;
Liu, Wenjing
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2018/08/20
脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较
期刊论文
原子能科学技术, 2014, 卷号: 48, 期号: 增刊1, 页码: 732-736
作者:
封国强
;
姜昱光
;
朱翔
;
韩建伟
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2015/09/22
FPGA
多位翻转
脉冲激光
A novel layout placement structure to mitigate the multi-bit-upset in 6T-SRAM cell
期刊论文
IEICE Electron. Express, 2014, 卷号: Vol.11 No.13, 页码: 20140396
作者:
Hui, X
;
Yun, Z
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/31
SRAM
single error correction
MBU
layout structure
Modeling and assessing the influence of linear energy transfer on multiple bit upset susceptibility
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22
作者:
Gu Song
;
Xi Kai
;
Liu Jie
;
Geng Chao
;
Liu Tian-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/07/05
Mufpsa
Let
Mbu
Ion Track Structure
抵御单粒子多位翻转的系统自恢复技术
期刊论文
西南交通大学学报, 2012, 期号: 4, 页码: 669-674
包海超
;
杨根庆
;
张宇宁
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2013/02/22
星载软件
单粒子翻转
自恢复
软件容错
多位翻转
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace