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Carrier Trapping in Wrinkled 2D Monolayer MoS2 for Ultrathin Memory
期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 6309-6316
作者:
Zhang, Rongjie
;
Lai, Yongjue
;
Chen, Wenjun
;
Teng, Changjiu
;
Sun, Yujie
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/09/16
 
2D materials
monolayer
MoS 2
wrinkles
memory
carrier trapping
conductive AFM
Non-volatility using materials with only volatile properties: Vertically integrated magnetoelectric heterostructures and their potential for multi-level-cell devices
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 24
作者:
Tang, Xiao
;
Gao, Min
;
Leung, Chung Ming
;
Luo, Haosu
;
Li, Jiefang
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/26
Light assisted multilevel resistive switching memory devices based on all-inorganic perovskite quantum dots
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: Vol.114 No.18
作者:
Chen, Z.a
;
Zhang, Y.a
;
Yu, Y.a
;
Cao, M.a
;
Che, Y.a
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/11/21
Light-controlled resistive switching and voltage-controlled photoresponse characteristics in the Pt/CeO2/Nb:SrTiO3 heterostructure
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 778
作者:
Xie, Shuai
;
Pei, Ling
;
Li, Meiya
;
Zhu, Yongdan
;
Cheng, Xiangyang
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/05
Pt/CeO2/Nb
SrTiO3 heterostructure
Light-controlled resistive switching
Voltage-controlled photoresponse
Schottky barrier
Electrons trapping/detrapping
Multilevel memory
Ten States of Nonvolatile Memory through Engineering Ferromagnetic Remanent Magnetization
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 卷号: 29, 期号: 2
作者:
Zhong, Hai
;
Wen, Yan
;
Zhao, Yuelei
;
Zhang, Qiang
;
Huang, Qikun
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2019/12/11
magnetic tunneling junctions
magnetoresistance
multilevel states
nonvolatile memory
remanent magnetization
One-Transistor Memory Compatible with Si-Based Technology with Multilevel Applications
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 8
作者:
Dai, Mingzhi
;
Yang, Wenwei
;
Li, Ming
;
Zhang, Lei
;
Huo, Changhe
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/18
CATALYST
Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory
期刊论文
Chinese Physics B, 2018
作者:
Liu J(刘璟)
;
Xu XX(许晓欣)
;
Chen CB(陈传兵)
;
Gong TC(龚天成)
;
Yu ZA(余兆安)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2019/04/12
A MULTILEVEL CORRECTION TYPE OF ADAPTIVE FINITE ELEMENT METHOD FOR EIGENVALUE PROBLEMS
期刊论文
SIAM JOURNAL ON SCIENTIFIC COMPUTING, 2018, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: A4208-A4235
作者:
Hong, Qichen
;
Xie, Hehu
;
Xu, Fei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/03/05
eigenvalue problem
multilevel correction
adaptive finite element method
convergence
optimal complexity
Coexistence of Negative Differential Resistance and Resistive Switching Memory at Room Temperature in TiOx Modulated by Moisture
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 1700567
作者:
Zhou, Guangdong
;
Duan, Shukai
;
Li, Ping
;
Sun, Bai
;
Wu, Bo
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/03/29
Ten States of Nonvolatile Memory through Engineering Ferromagnetic Remanent Magnetization
期刊论文
Advanced Functional Materials, 2018
作者:
Zhong H.
;
Wen Y.
;
Zhao Y.
;
Zhang Q.
;
Huang Q.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/11
magnetic tunneling junctions
magnetoresistance
multilevel states
nonvolatile memory
remanent magnetization
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