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科研机构
金属研究所 [3]
重庆大学 [1]
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期刊论文 [4]
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2021 [2]
2018 [1]
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Carrier Trapping in Wrinkled 2D Monolayer MoS2 for Ultrathin Memory
期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 6309-6316
作者:
Zhang, Rongjie
;
Lai, Yongjue
;
Chen, Wenjun
;
Teng, Changjiu
;
Sun, Yujie
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2022/09/16
 
2D materials
monolayer
MoS 2
wrinkles
memory
carrier trapping
conductive AFM
Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors
期刊论文
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347
作者:
Zou, Jingyun
;
Cai, Zhengyang
;
Lai, Yongjue
;
Tan, Junyang
;
Zhang, Rongjie
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2021/10/15
2D materials
molybdenum disulfide
MoS2
vanadium
substitutional doping
synaptic transistor
Dissolution-precipitation growth of uniform and clean two dimensional transition metal dichalcogenides
期刊论文
NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2021, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 9
作者:
Cai, Zhengyang
;
Lai, Yongjue
;
Zhao, Shilong
;
Zhang, Rongjie
;
Tan, Junyang
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/10/15
dissolution-precipitation growth
two dimensional materials
transition metal dichalcogenides
uniform
clean
Achieving High-Performance Surface-Enhanced Raman Scattering through One-Step Thermal Treatment of Bulk MoS2
期刊论文
2018, 卷号: 122, 页码: 14467-14473
作者:
Yang, Dandan[1]
;
Qiu, Wu[2]
;
Chen, Xuejiao[3]
;
Liu, Lei[3]
;
Lai, Yongjue[1]
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/11/30
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