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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201310388631.0, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2015-03-18 作者: 朱慧珑 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/03/14 |
| 埋入源多道面波分析(MASW)中最小偏移距的估计方法 期刊论文 2018, 卷号: 61, 期号: 6, 页码: 2421-2432 作者: 刘康; 戴靠山; 许强; 翁渝峰; 黄李观 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/13
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| 埋入源下半无限体中瑞利波可激性研究 期刊论文 2017, 卷号: 38, 期号: 9, 页码: 2480-2486 作者: 柴华友; 李天斌; 陈健; 张电吉 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/13
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| 具有非对称后退阱和背栅的SOI器件 专利 专利号: CN201520575137.X, 申请日期: 2015-12-23, 作者: 朱慧珑; 张严波; 钟健 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/09/19 |
| SOI器件 专利 专利号: CN201520311982.6, 申请日期: 2015-08-12, 作者: 朱慧珑; 钟健; 张严波 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2016/09/19 |
| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利 专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07 作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2016/09/18 |
| 大电流下LED的光效提升研究 学位论文 2015, 2015 张东炎 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/02/23
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| “梯-潭”型泥石流排导槽消能特性研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 李云 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2016/03/02
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| 一种振动能量采集器 专利 申请日期: 2014-03-10, 作者: 任卓翔; 胡启方 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2017/05/27 |
| 聚合物纳米电介质材料研究进展及其在埋入式无源元件中的应用概述 期刊论文 集成技术, 2014 作者: 杨文虎; 于淑会; 孙蓉; 廖维新; 汪正平 收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2015/09/01 |