半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	朱慧珑
	2018-02-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310388631.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例半导体器件可以包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括基底衬底、埋入电介质层和SOI层；在SOI衬底上设置的有源区，该有源区包括第一子区和第二子区，其中第一子区包括第一鳍状部，第二子区包括与第一鳍状部相对的第二鳍状部，且第一子区和第二子区中至少之一包括横向延伸部；设于第一鳍状部和第二鳍状部之间的背栅；夹于背栅与各鳍状部之间的背栅介质层；以及在有源区上形成的栅堆叠。
公开日期	2015-03-18
申请日期	2013-08-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18764]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. CN201310388631.0. 2018-02-16.