QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanism of Degradation Rate on the Irradiated Double-Polysilicon Self-Aligned Bipolar Transistor 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 1-8 作者:  Liu, MH (Liu, Mohan)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Yu, X (Yu, Xin)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang, Xin)[ 1 ];  Li, XL (Li, Xiaolong)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/04/03 saturation effect  gain degradation  total ionizing dose  gamma ray  bipolar transistor   A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5 作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ] 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/03/20 Hot carrier effect  PMOS  Total ionizing dose effect