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Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
InAlN/GaN异质结横向组分不均匀散射机制的研究
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
陈谦
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
InAlN/GaN异质结
AlGaN插入层
导带波动散射
HEMT
Mechanism of Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Huang, Zhongxiao
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
AlGaN/GaN HEMT
Current Collapse
Traps
Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63
作者:
Hu, P. P.
;
Liu, J.
;
Zhang, S. X.
;
Maaz, K.
;
Zeng, J.
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/10/08
GaN
HEMT
Swift heavy ion
Latent track
Electrical characteristics
金刚石衬底氮化镓 HEMT大功率器件热分析
学位论文
2018
作者:
陈旭东
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/26
GaN-on-diamond HEMT
大功率
热效应
有限元建模
氮化镓器件ESD防护性能研究
学位论文
2018
作者:
孙健
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN HEMT
极化效应
双向触发
短沟道效应
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs
会议论文
作者:
Cui, Miao
;
Cai, Yutao
;
Lam, Sang
;
Liu, Wen
;
Zhao, Chun
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Frequency dependence
Frequency independent
High-voltage switching
Metal-insulator-semiconductors
MIS-HEMT
Threshold voltage shifts
Voltage hysteresis
X-Band GaN High Electron Mobility Transistor Power Amplifier on 6H-SiC with 110 W Output Power
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7451-7454
作者:
Wang, Quan
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
X-Band
GaN HEMT
Power Amplifier
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