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Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Lin, Zheng-Zhao
;
Lu, Ling
;
Zheng, Xue-Feng
;
Cao, Yan-Rong
;
Hu, Pei-Pei
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2022/04/11
gallium nitride
radiation effects
defects
pulse testing
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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提交时间:2021/07/06
Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Zhao, Junliang
;
Zhu, Qiuxiang
;
Chen, Yongbo
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/26
Defect evolution of oxygen induced Vth-shift for ON-state biased AlGaN/GaN HEMTs (Open Access)
期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 14
作者:
Wang, Rong
;
Xu, Jianxing
;
Zhang, Shiyong
;
Cheng, Zhe
;
Zhang, Lian
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/05
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Two-dimensional analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a etched algan barrier layer
期刊论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, 2019
作者:
Guo, Haijun
;
Cao, Chao
;
Duan, Baoxing
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMTs
Analytical model
Electric field modulation
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Two-Dimensional Analytical Model of AlGaN/GaN HEMTs with a Ftched AlGaN Barrier Layer
会议论文
IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), JUN 12-14, 2019
作者:
Guo, Haijun
;
Cao, Chao
;
Duan, Baoxing
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/31
AlGaN/GaN HEMTs
analytical model
electric field modulation
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