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半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
1995 [2]
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专题:半导体研究所
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80
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90
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
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浏览/下载:218/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
WURTZITE GAN
LUMINESCENCE
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载:353/16
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提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Study of the long-term stability of the effective concentration of ionized space charges (n-eff) of neutron-irradiated silicon detectors fabricated by various thermal-oxidation processes
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 1995, 卷号: 42, 期号: 4, 页码: 219-223
作者:
LI, Z
;
CHEN, W
;
DOU, L
;
EREMIN, V
;
KRANER, HW
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
STUDY OF THE LONG-TERM STABILITY OF THE EFFECTIVE CONCENTRATION OF IONIZED SPACE CHARGES (N-EFF) OF NEUTRON-IRRADIATED SILICON DETECTORS FABRICATED BY VARIOUS THERMAL-OXIDATION PROCESSES
期刊论文
ieee transactions on nuclear science, 1995, 卷号: 42, 期号: 4, 页码: 219-223
LI Z
;
CHEN W
;
DOU L
;
EREMIN V
;
KRANER HW
;
LI CJ
;
LINDSTROEM G
;
SPIRITI E
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/17
RADIATION-DAMAGE
RECRYSTALLIZATION, IMPURITY MIGRATION AND OPTICAL ACTIVATION OF YB-IMPLANTED SILICON INDUCED BY RAPID THERMAL ANNEALING
期刊论文
physics letters a, 1994, 卷号: 189, 期号: 5, 页码: 423-427
XU TB
;
ZHU PR
;
LI DQ
;
REN TQ
;
SUN HL
;
WAN SK
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
LONGITUDINAL MODE-OPERATION
RUTHERFORD BACKSCATTERING
ERBIUM
ELECTROLUMINESCENCE
LASERS
EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON
期刊论文
applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263
WONG YW
;
YANG XQ
;
CHAN PW
;
TONG KY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
REACTIVE ATMOSPHERE
BORON
IRRADIATION
SEMICONDUCTORS
JUNCTIONS
DEFECT MODEL OF PHOTOCONVERSION BY OXYGEN IN SEMIINSULATING GAAS
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 13435-13445
ZHONG XF
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
GALLIUM-ARSENIDE
LOCAL MODE
SPECTROSCOPY
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