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Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏  |  浏览/下载：212/46  |  提交时间：2010/10/11
An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08
A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 87-91
Du Rui; Dai Yang; Chen Yanling; Yang Fuhua
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Zhang ML;  Hou QF
收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08
Properties of alyga1-yn/alxga1-xn/aln/gan double-barrier high electron mobility transistor structure 期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4
作者:  Guo Lun-Chun;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Ran Jun-Xue;  Wang Cui-Mei
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue
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Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08
Hydrogen sensors based on algan/ain/gan hemt 期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23
作者:  Wang, X. H.;  Wang, X. L.;  Feng, C.;  Yang, C. B.;  Wang, B. Z.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12

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