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半导体研究所 [19]
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专题:半导体研究所
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Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from zno-based heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 18, 页码: 3
作者:
Zhang, S. G.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Wang, J. X.
;
Dong, J. J.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Microphotoluminescence investigation of inas quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Ding, Y.
;
Fan, W. J.
;
Ma, B. S.
;
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/14
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
MODES
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:147/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Indium-induced effect on polarized electroluminescence from ingan/gan mqws light emitting diodes
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 4
作者:
Ruan Jun
;
Yu Tong-Jun
;
Jia Chuan-Yu
;
Tao Ren-Chun
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
收藏
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浏览/下载:88/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:
Wu Donghai
;
Han Qin
;
Peng Hongling
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Large-scale synthesis of single-phase, high-quality gan nanocrystallites
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2004, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 753-755
作者:
Wang, JC
;
Yu, DP
;
Li, CY
;
Zhou, JF
;
Wang, YZ
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2004, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 753-755
Wang JC
;
Yu DP
;
Li CY
;
Zhou JF
;
Wang YZ
;
Feng SQ
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浏览/下载:230/78
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提交时间:2010/03/09
LIGHT-EMITTING-DIODES
Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled inalas/algaas quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050
作者:
Liu, HY
;
Xu, B
;
Qian, JJ
;
Ye, XL
;
Han, Q
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
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