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新疆理化技术研究所 [31]
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期刊论文 [26]
学位论文 [5]
发表日期
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2021 [3]
2020 [1]
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1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214
作者:
Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]
;
Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2022/04/07
Total ionizing dose irradiation
UTBB FD-SOI
1
f noise
Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7
作者:
Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ]
;
Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ]
;
Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ]
;
Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ]
;
Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ]
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2021/03/15
SOI-LIGBT
Total-ionizing-dose
Radiation
Degradation
Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:
Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3]
;
Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3]
;
Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3]
;
Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/24
SiC Power MOSFETs
Switching Characteristics
Total Ionizing Dose (TID) Effect
Static Characteristic
Parasitic Capacitance
The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:
Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ]
;
Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2020/07/06
Total ionizing dose
h-shape gate
channel width
partially depleted
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]
;
Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]
;
Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/05/14
Back-gate biasing
forward body bias (FBB)
total ionizing dose (TID)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:
Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ]
;
Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ]
;
Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ]
;
Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ]
;
Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2018/09/18
Anneal
Finfet
On-state Bias
Total Ionizing Dose (Tid)
Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1-9
作者:
Li, XL (Li, Xiao-Long)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
Wang, X (Wang, Xin)
;
Yu, X (Yu, Xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/14
Ionizing Radiation Damage
Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (Eldrs)
Switched Temperature Irradiation
Gate-controlled Lateral Pnp Transistor (glPnp)
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
武大猷
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/09/27
电荷耦合器件
60Co-γ辐照
电子辐照
辐射损伤
低剂量率损伤增强效应
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2016/09/27
MOSFET
辐射效应
NBTI
可靠性
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