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Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/05/14
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/03/19
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13
Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 074008-1-074008-6
作者:  Zheng, Qiwen;  Yu, Xuefeng;  Cui, Jiangwei;  Guo, Qi;  Cong, Zhongchao
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/11
Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6
作者:  Cui, Jiangwei;  Yu, Xuefeng;  Ren, Diyuan;  He, Chengfa;  Gao, Bo
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/11
Simulation for neutron radiation effects on super deep submicron SOI NMOSFET 期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2011, 卷号: 45, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 456-460
作者:  Hu, Zhi-Liang;  He, Chao-Hui;  Zhang, Guo-He;  Guo, Da-Xi
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/10
超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 456-460
作者:  胡志良;  贺朝会;  张国和;  郭达禧
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/10
超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 01
张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06
部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 4，65-68
作者:  刘梦新;  卜建辉;  胡爱斌;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/06/01

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