高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

doi:10.13209/j.0479-8023.2014.094

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究; Experimental Study on Positive Bias Temperature Instability of SOI nMOSFETs with High-k Gate Dielectrics
	李哲 ; 吕垠轩 ; 何燕冬 ; 张钢刚
刊名	北京大学学报自然科学版
	2014
关键词	正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC) PBTI high-κ gate dielectrics SOI MOSFET degradation SILC
DOI	10.13209/j.0479-8023.2014.094
英文摘要	对高κ栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响.结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响.最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 4; 637-641; 50
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/318140]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	李哲,吕垠轩,何燕冬,等. 高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究, Experimental Study on Positive Bias Temperature Instability of SOI nMOSFETs with High-k Gate Dielectrics[J]. 北京大学学报自然科学版,2014.
APA	李哲,吕垠轩,何燕冬,&张钢刚.(2014).高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究.北京大学学报自然科学版.
MLA	李哲,et al."高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究".北京大学学报自然科学版 (2014).