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近代物理研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
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内容类型:期刊论文
专题:近代物理研究所
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Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7
作者:
Yu, Jian
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Gao, Shuai
;
Liu, Tianqi
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2022/01/24
Heavy ions
Irradiation
Hardened
Single event upset
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
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浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2019/11/10
Single-event multiple-cell upsets (MCUs)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13
作者:
Ke, Lingyun
;
Zhao, Peixiong
;
Liu, Jie
;
Fan, Xue
;
Cai, Chang
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2019/11/10
FPGA
radiation hardening
single event upsets
heavy ions
error rates
Low energy proton induced single event upset in 65 nm DDR and QDR commercial SRAMs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 443-448
作者:
Ye, B.
;
Liu, J.
;
Wang, T. S.
;
Liu, T. Q.
;
Maaz, K.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/05/31
SRAM
Low energy proton
Single event upset
Direct ionization
Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Wang, Tie-Shan
;
Liu, Tian-Qi
;
Luo, Jie
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/05/31
single event upset
energy straggle
proton irradiation
nanodevice
Simulation of the characteristics of low-energy proton induced single event upset
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2014, 卷号: 57, 页码: 1902-1906
作者:
Geng Chao
;
Xi Kai
;
Liu TianQi
;
Liu Jie
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/05
Single Event Upset
Proton
Direct Ionization
Monte Carlo
Modeling and assessing the influence of linear energy transfer on multiple bit upset susceptibility
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22
作者:
Gu Song
;
Xi Kai
;
Liu Jie
;
Geng Chao
;
Liu Tian-Qi
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/07/05
Mufpsa
Let
Mbu
Ion Track Structure
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