CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文
作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/08/20
Low energy proton induced single event upset in 65 nm DDR and QDR commercial SRAMs 会议论文
作者:  Ye, B.;  Liu, J.;  Wang, T. S.;  Liu, T. Q.;  Maaz, K.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/08/20
Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25 MeV/u Kr-86 ion microbeam at HIRFL 会议论文
作者:  Su, Hong;  Liu, Tianqi;  Yang, Zhenlei;  Guo, Jinlong;  Du, Guanghua
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/08/20
Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space 会议论文
作者:  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Liu, Jie;  IEEE
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/27
Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文
作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/08/20
Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文
作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20
Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文
作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace