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科研机构
西安光学精密机械研... [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2001 [1]
1997 [1]
1992 [2]
1991 [2]
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内容类型:专利
专题:西安光学精密机械研究所
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Nitride semiconductor laser device
专利
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:
RYOWA, TATSUYA
;
ISHIDA, MASAYA
;
MORISHITA, YUKIKO
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
MOTOKI, KENSAKU
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US7038243, 申请日期: 2006-05-02, 公开日期: 2006-05-02
作者:
KAMAKURA, TAKANOBU
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/18
Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate
专利
专利号: US6177292, 申请日期: 2001-01-23, 公开日期: 2001-01-23
作者:
HONG, CHANG-HEE
;
KIM, SUN TAE
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2642404B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:
粒来 保彦
;
国分 義弘
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/18
Visible light semiconductor laser
专利
专利号: JP1992213886A, 申请日期: 1992-08-04, 公开日期: 1992-08-04
作者:
SUGANO HIKARI
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
Window structure semiconductor laser and manufacture method
专利
专利号: JP1992061391A, 申请日期: 1992-02-27, 公开日期: 1992-02-27
作者:
KOMAZAKI IWAO
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1991152983A, 申请日期: 1991-06-28, 公开日期: 1991-06-28
作者:
HINO ISAO
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
GaAs/AlGaAs heterostructure laser containing indium
专利
专利号: US4984242, 申请日期: 1991-01-08, 公开日期: 1991-01-08
作者:
SCIFRES, DONALD R.
;
WELCH, DAVID F.
;
ENDRIZ, JOHN
;
STREIFER, WILLIAM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting element
专利
专利号: JP1987098689A, 申请日期: 1987-05-08, 公开日期: 1987-05-08
作者:
HOSODA MASAHIRO
;
HAYASHI HIROSHI
;
YAMAMOTO SABURO
;
YANO MORICHIKA
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
-
专利
专利号: JP1986033275B2, 申请日期: 1986-08-01, 公开日期: 1986-08-01
作者:
HASEGAWA OSAMU
;
KANEKO TOSHIAKI
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提交时间:2020/01/13
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