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半导体研究所 [23]
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期刊论文 [21]
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学科主题
半导体材料 [23]
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学科主题:半导体材料
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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:39/3
  |  
提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes by hydrogen plasma treatment
期刊论文
physica status solidi-rapid research letters, 2011, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 74-76
作者:
You JB
;
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
LED
electroluminescence
hydrogen-plasma treatment
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
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浏览/下载:68/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Transition films from amporphous to microcrystalline silicon and solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3327-3331
Hao HY
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu Y
;
Diao HW
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:58/26
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提交时间:2010/03/17
diphasic silicon films
Quasi-continuous-wave operation of AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 30, 期号: 1-2, 页码: 21-24
Liu, JQ
;
Liu, FQ
;
Lu, XZ
;
Guo, Y
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:393/76
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提交时间:2010/03/17
injection efficiency
Effect of fabrication conditions on I-V properties for ZnO varistor with high concentration additives by sol-gel technique
期刊论文
current applied physics, 2005, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 381-386
Zhang JC
;
Cao SX
;
Zhang RY
;
Yu LM
;
Jing C
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/17
ZnO nonlinear varistor
Realization of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 1961-1964
Liu JQ
;
Liu FQ
;
Lu XZ
;
Guo Y
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:298/3
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提交时间:2010/04/11
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium compounds
quantum-cascade lasers (QCLs)
UNIPOLAR SEMICONDUCTOR-LASERS
MU-M
OPERATION
Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/17
stress
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