×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
长春光学精密机械与物... [2]
西安交通大学 [1]
大连理工大学 [1]
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
湖南大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [5]
专利 [1]
会议论文 [1]
发表日期
2018 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
发表日期:2018
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element
专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:
TAKEUCHI, TETSUYA
;
AKASAKI, ISAMU
;
AKAGI, TAKANOBU
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Fan, Yaming(范亚明)
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhao, Jie
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51
作者:
Huang, Huolin
;
Sun, Zhonghao
;
Cao, Yaqing
;
Li, Feiyu
;
Zhang, Feng
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/02
gallium nitride (GaN)
semiconductor devices
surface donor-like traps
current collapse
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs
会议论文
作者:
Cui, Miao
;
Cai, Yutao
;
Lam, Sang
;
Liu, Wen
;
Zhao, Chun
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Frequency dependence
Frequency independent
High-voltage switching
Metal-insulator-semiconductors
MIS-HEMT
Threshold voltage shifts
Voltage hysteresis
Characteristics and threshold voltage model of GaN-based FinFET with recessed gate
期刊论文
中国物理B(英文版), 2018, 卷号: 第27卷 第9期, 页码: 535-539
作者:
Wang C(王冲)
;
Wang X(王鑫)
;
Zheng XF(郑雪峰)
;
Wang Y(王允)
;
He YL(何云龙)
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/26
FINFET
阈值电压
电压模型
特征和
ALGAN/GAN
陷阱
电压变化
休息
Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, Meixin
;
Li, Zengcheng
;
Wang, Jin
;
Zhou, Rui
;
Sun, Qian
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/09/17
Ultraviolet lasers
Aluminum alloys
Aluminum gallium nitride
Aluminum nitride
Defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Lasers
Lattice mismatch
Quantum well lasers
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum wells
Stresses
Thermal expansion
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:
Han, W. Y.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Chen, Y. R.
;
Song, H.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/09/17
p-i-n
photodetectors
template
films
Engineering
Materials Science
Physics
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace