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内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2017 [15]
学科主题
半导体器件 [1]
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共15条,第1-10条
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发表日期:2017
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70
75
80
85
90
95
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Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching
会议论文
作者:
Wei K(魏珂)
;
Zheng YK(郑英奎)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/07/20
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
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浏览/下载:458/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
异质结构
二维空穴气
二维电子气
高电子迁移率晶体管
Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS
会议论文
作者:
Kang XW(康玄武)
;
Huang S(黄森)
;
Wei K(魏珂)
;
Wang XH(王鑫华)
;
Zhang JH(章晋汉)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/07/20
Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017
作者:
Song, L
;
Fu, K(付凯)
;
Zhang, ZL(张志利)
;
Sun, SC
;
Li, WY
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/02/05
Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Hao, Ronghui
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao
;
Song, Liang
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/02/05
AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Zhang, Zhili(张志利)
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhang, Xiaodong(张晓东)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/02/05
Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518
作者:
Sun, Ruize
;
Liang, Yung C.
;
Yeo, Yee-Chia
;
Zhao, Cezhou
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/26
high-temperature operation
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor (MIS-HEMT)
power converter control
embedded current sensor
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Li, Jianfei
;
Lv, Yuanjie
;
Li, Changfu
;
Ji, Ziwu
;
Pang, Zhiyong
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMT
Fe-doping
photoluminescence
leakage current
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 期号: 09, 页码: 519-523
作者:
Li JF(李建飞)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Li ZF(李长富)
;
Ji ZW(冀子武)
;
Pang ZY(庞智勇)
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/12
AlGaN/GaN HEMT
Fe-doping
photoluminescence
leakage current
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs∗
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Li, Jianfei
;
Lv, Yuanjie
;
Li, Changfu
;
Ji, Ziwu
;
Pang, Zhiyong
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/12
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